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IRF5803PBF

更新时间:2025-06-18 20:12:53
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IRF5803PBF 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    88 ns
  • 典型接通延迟时间
    43 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    25 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds
    1110 pF V @ 25
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    1.5mm
  • 封装类型
    TSOP
  • 尺寸
    3 x 1.5 x 0.9mm
  • 引脚数目
    6
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    1300 mW
  • 最大栅源电压
    ±20 V
  • 最大漏源电压
    40 V
  • 最大漏源电阻值
    0.112
  • 最大连续漏极电流
    3.4 A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    1
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    P
  • 配置
    四漏极、单
  • 长度
    3mm
  • 高度
    0.9mm
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广东微尔科技有限公司
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