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IRF5851PBF

更新时间:2025-05-22 19:28:51
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IRF5851PBF 规格参数
  • 典型关断延迟时间
    15（N 沟道）ns，31（P 沟道）ns
  • 典型接通延迟时间
    6.6（N 沟道）ns，8.3（P 沟道）ns
  • 典型栅极电荷@Vgs
    3.6 nC @ 4.5 V（P 沟道），4 nC @ 4.5 V（N 沟道）
  • 典型输入电容值@Vds
    320 pF @ 15 V（P 沟道），400 pF @ 15 V（N 沟道）
  • 安装类型
    表面贴装
  • 宽度
    1.5mm
  • 封装类型
    TSOP
  • 尺寸
    3 x 1.5 x 0.9mm
  • 引脚数目
    6
  • 最低工作温度
    -55 °C
  • 最大功率耗散
    0.96 W
  • 最大栅源电压
    ±12 V
  • 最大漏源电压
    20 V
  • 最大漏源电阻值
    0.09（N 沟道），0.135（P 沟道）
  • 最大连续漏极电流
    2.2（P 沟道）A，2.7（N 沟道）A
  • 最高工作温度
    +150 °C
  • 每片芯片元件数目
    2
  • 类别
    功率 MOSFET
  • 通道模式
    增强
  • 通道类型
    N，P
  • 配置
    双
  • 长度
    3mm
  • 高度
    0.9mm
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