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IRF6619

更新时间:2025-07-03 11:56:45
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IRF6619外观图

IRF6619

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET

  • 封装:DirectFET? 等容 MX
IRF6619 规格参数
  • 标准包装
    4,800
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    30A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.2 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.45V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    57nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5040pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    2.8W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    DirectFET? 等容 MX
  • 供应商设备封装
    DIRECTFET? MX
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IRF6619TR
IRF6619 Datasheet数据手册 PDF下载
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