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IRF7202TR

更新时间:2025-06-10 06:09:27
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IRF7202TR外观图

IRF7202TR

International Rectifier FET - 单

MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF7202TR 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    250 毫欧 @ 1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    270pF @ 20V
  • 功率 - 最大
    1.6W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    IRF7202DKR
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