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IRF7759L2TRPBF

更新时间:2025-08-02 01:29:12
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IRF7759L2TRPBF外观图

IRF7759L2TRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 75V DIRECTFET L8

  • 封装:DirectFET? 等距 L8
IRF7759L2TRPBF 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    375A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.3 毫欧 @ 96A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    300nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    12222pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3.3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    DirectFET? 等距 L8
  • 供应商设备封装
    DIRECTFET L8
  • 包装
    带卷 (TR)
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苏州固锝电子股份有限公司
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