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IRF8513TRPBF

更新时间:2025-06-16 02:24:00
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IRF8513TRPBF外观图

IRF8513TRPBF

International Rectifier FET - 阵列

MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IRF8513TRPBF 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    8A，11A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    15.5 毫欧 @ 8A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    8.6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    766pF @ 15V
  • 功率 - 最大
    1.5W，2.4W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SO
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IRF8513TRPBFTR
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