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IRFH6200TRPBF

更新时间:2025-08-03 00:30:53
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IRFH6200TRPBF外观图

IRFH6200TRPBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 20V 100A 8-PQFN

  • 封装:8-PowerVQFN
IRFH6200TRPBF 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    45A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.2 毫欧 @ 50A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.1V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    230nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    10890pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    3.6W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerVQFN
  • 供应商设备封装
    PQFN（5x6）
  • 包装
    带卷 (TR)
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