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IRFH8334TR2PBF

更新时间:2025-05-28 19:39:28
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IRFH8334TR2PBF外观图

IRFH8334TR2PBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN

  • 封装:8-PowerTDFN
IRFH8334TR2PBF 规格参数
  • 标准包装
    400
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    14A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    9 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1180pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    3.2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装
    PQFN（5x6）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IRFH8334TR2PBFTR
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