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IRFHM792TR2PBF

更新时间:2025-06-10 01:34:36
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IRFHM792TR2PBF外观图

IRFHM792TR2PBF

International Rectifier FET - 阵列

MOSFET N CH DUAL 100V 2.3A PQFN

  • 封装:8-PowerVDFN
IRFHM792TR2PBF 规格参数
  • 标准包装
    400
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    2.3A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    195 毫欧 @ 2.9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 10µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.3nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    251pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    2.3W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerVDFN
  • 供应商设备封装
    8-PQFN（3.3X3.3），Power33
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IRFHM792TR2PBFTR
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