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IRFHM830TR2PBF

更新时间:2025-06-09 13:15:49
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IRFHM830TR2PBF外观图

IRFHM830TR2PBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

  • 封装:8-VQFN 裸露焊盘
IRFHM830TR2PBF 规格参数
  • 标准包装
    400
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    21A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3.8 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.35V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    31nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2155pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    2.7W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-VQFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    PQFN（3x3）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IRFHM830TR2PBFTR
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