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IRFHS8342TR2PBF

更新时间:2025-06-15 04:47:35
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IRFHS8342TR2PBF外观图

IRFHS8342TR2PBF

International Rectifier FET - 单

MOSFET N-CH 30V 8.8A PQFN

  • 封装:6-PowerVQFN
IRFHS8342TR2PBF 规格参数
  • 特色产品
    PQFN 2x2
  • 标准包装
    400
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    8.8A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    16 毫欧 @ 8.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.35V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    8.7nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    600pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    2.1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-PowerVQFN
  • 供应商设备封装
    6-PQFN（2x2）
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    IRFHS8342TR2PBFTR
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广东微尔科技有限公司
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