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IRFIB5N65APBF

更新时间:2025-07-15 07:43:55
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IRFIB5N65APBF 规格参数
  • 标准包装
    1,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HEXFET®
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    5.1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    930 毫欧 @ 3.1A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1417pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    60W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3 全封装，隔离接片
  • 供应商设备封装
    TO-220-3
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    *IRFIB5N65APBF
IRFIB5N65APBF Datasheet数据手册 PDF下载
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