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IRFL210TR

更新时间:2025-06-11 07:37:57

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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2500
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IRFL210TR 概述

IRFL210TR是一款由Infineon Technologies生产的N沟道增强型MOSFET，采用DPAK封装。该器件设计用于低电压应用，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于电源管理、电机驱动及负载切换等多种应用场景。其最大漏极-源极电压为30V，适用于电池供电设备、消费电子产品以及工业控制系统中。在电路设计时，建议充分考虑散热设计以确保器件可靠工作，特别是在高负载条件下。由于其紧凑的封装尺寸，特别适合对空间有严格要求的设计场合。使用时需注意栅极驱动电压的选择，以保证MOSFET处于最佳工作状态。

IRFL210TR 规格参数

数据列表
IRFL210
标准包装
2,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
960mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 欧姆 @ 580mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)

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