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IRLD110

更新时间:2025-07-03 15:55:54
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IRLD110 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    540 毫欧 @ 600mA，5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6.1nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    250pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    1.3W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    4-DIP（0.300"，7.62mm）
  • 供应商设备封装
    4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    *IRLD110
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