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IV1D12015T2

更新时间:2025-05-23 08:12:09
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IV1D12015T2 规格参数
  • 现有数量
    120现货
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • 技术
    SiC（Silicon Carbide）Schottky
  • 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
    1200 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)
    44A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
    1.8 V @ 15 A
  • 速度
    无恢复时间 > 500mA（Io）
  • 反向恢复时间 (trr)
    0 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
    80 μA @ 1200 V
  • 不同?Vr、F 时电容
    888pF @ 1V，1MHz
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-2
  • 供应商器件封装
    TO-247-2
  • 工作温度 - 结
    -55°C ~ 175°C
芯知识
2.2万
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广东微尔科技有限公司
IV1D12015T2推荐型号

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