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IXDI609SIATR

更新时间:2025-05-28 20:12:55

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封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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IXDI609SIATR 概述

IXDI609SIATR是由IXYS公司生产的一款高性能N沟道MOSFET驱动器。该器件采用SO-8封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用场合。其内部集成了保护功能，如过温保护和短路保护，增强了系统的可靠性与稳定性。这款驱动器广泛应用于工业控制、电源管理及电机驱动等领域。例如，在开关电源中可用于驱动同步整流MOSFET，提高电源转换效率；在电机驱动电路里作为H桥或半桥驱动元件，实现对电机的精准控制。使用时需注意保证栅极驱动电压在规定范围内，并且散热设计要合理以避免过热损坏。在实际电路设计中，建议配合合适的栅极电阻使用，以优化开关速度并减少EMI干扰。对于高可靠性要求的应用场景，应仔细评估其工作环境温度范围和电气应力条件。

IXDI609SIATR 规格参数

标准包装
2,000
类别
集成电路 (IC)
家庭
PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
系列
-
配置
低端
输入类型
反相
延迟时间
40ns
电流 - 峰
9A
配置数
1
输出数
1
高端电压 - 最大（自引导启动）
-
电源电压
4.5 V ~ 35 V
工作温度
-40°C ~ 125°C
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装
8-SOICN
包装
带卷 (TR)

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