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IXDN50N120

更新时间:2025-06-14 14:14:11

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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IXDN50N120 概述

IXDN50N120是由IXYS公司生产的高压大功率MOSFET。该器件采用先进的功率半导体技术，具备低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）可达1200V，适合于需要高耐压的工业级应用。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动以及高频开关电源等。在电路设计中，建议为栅极驱动电路配置合适的电阻以控制开关速度，避免过冲现象。由于其高耐压特性，在PCB布局时应特别注意爬电距离和电气间隙要求，确保高压部分与其他低压控制电路保持足够的绝缘距离。此外，为提高系统可靠性，可在源极串联一个低阻值电阻用于检测电流，实现过流保护功能。

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