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IXFA26N30X3

更新时间:2025-05-16 15:25:29

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IXFA26N30X3 概述

IXFA26N30X3是由IXYS公司生产的高压功率MOSFET。这款MOSFET专为高效能应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频操作。其最大漏源电压（Vds）达到300V，连续漏极电流（Id）在室温下为26A，表明它适合中高功率应用场景。典型应用包括不间断电源（UPS）、开关模式电源（SMPS）、电机驱动以及工业自动化设备中的功率转换电路。在实际应用中，建议根据具体需求选择合适的栅极驱动电阻以优化开关速度与EMI性能之间的平衡。此外，在布局PCB时应尽量减小源极电感，并确保良好的散热设计，如使用足够的铜箔面积或散热器，以降低器件温度，提高系统可靠性。

IXFA26N30X3 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
HiPerFET?, Ultra X3
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
66 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 500μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
22 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1465 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-263AA（IXFA）
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

芯知识

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