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IXFH16N50P3

更新时间:2025-07-06 06:26:19

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市芯国创科技有限公司
IXFH16N50P3
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只做原装，支持账期，提供一站式配单服务
上传BOM

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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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上海紫卓电子科技有限公司
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芯德微联（深圳）电子有限公司
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深圳市盈熙微科技有限公司
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IXFH16N50P3 概述

IXFH16N50P3是由IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。这款MOSFET采用TO-247封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高频应用。其最大漏源电压（Vds）为500V，连续漏极电流（Id）可达16A，在保证高效能的同时提供强大的耐压能力。该型号广泛应用于工业电源、不间断电源（UPS）、电机驱动以及各类需要高压高速开关的电力电子设备中。在实际应用中，建议在栅极串联一个电阻来抑制振荡，并且确保散热设计合理以维持器件工作温度在安全范围内。对于电路设计，通常会搭配适当的栅极驱动器以优化开关性能并减少损耗。在选择外部元件时，请考虑与MOSFET参数相匹配，如工作频率、电压等级等，以确保系统稳定可靠运行。

IXFH16N50P3 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
HiPerFET?, Polar3?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1515 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
330W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AD（IXFH）
封装/外壳
TO-247-3

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广东微尔科技有限公司

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