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IXFH18N100Q3

更新时间:2025-05-23 07:42:20
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • IXFH18N100Q3

  • 优势

  • 1004

  • IXYS/艾赛斯

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IXFH18N100Q3外观图

IXFH18N100Q3

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-247

  • 封装:TO-247-3
IXFH18N100Q3 规格参数
  • 特色产品
    Q3-Class HiPerFET? Power MOSFETs
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HiPerFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1000V（1kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    18A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    660 毫欧 @ 9A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    6.5V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    90nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    4890pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    830W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商设备封装
    TO-247
  • 包装
    管件
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