IXFH26N100X是由IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。这款MOSFET专为高压应用设计，具有1000V的漏源电压（VDSS）和26A的连续漏极电流（ID）。其低导通电阻（RDS(on)）特性有助于减少功耗并提高系统效率。该器件适用于多种高电压、大电流的应用场景，如开关电源、不间断电源（UPS）、电机驱动以及工业逆变器等。由于其快速开关性能和优异的热稳定性，特别适合用于需要高效能量转换和管理的场合。在实际应用中，为了确保最佳性能，建议使用适当的散热措施，并遵循制造商提供的电气参数限制。在电路设计时，注意栅极驱动电路的设计以实现快速且可靠的开关操作。此外，在布局PCB时应尽量减小寄生电感，以避免不必要的振荡和噪声干扰。

IXFH26N100X 规格参数

现有数量
209现货
系列
HiPerFET?, Ultra X
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
320 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
6V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3290 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
860W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247
封装/外壳
TO-247-3

芯知识

2.2万

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广东微尔科技有限公司

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IXFH26N100X

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