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IXFH58N20Q

更新时间:2025-05-17 18:44:44
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IXFH58N20Q外观图

IXFH58N20Q

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD

  • 封装:TO-247-3
IXFH58N20Q 规格参数
  • 标准包装
    30
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    HiPerFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    58A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    40 毫欧 @ 29A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 4mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    3600pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    300W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-247-3
  • 供应商设备封装
    TO-247AD
  • 包装
    管件
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