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IXFK15N100Q

更新时间:2025-07-04 15:50:38

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IXFK15N100Q

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1000V 15A TO-264

封装:TO-264-3，TO-264AA

IXFK15N100Q 概述

IXFK15N100Q是IXYS公司生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用TO-264封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频应用。其最大漏源电压为1000V，连续漏极电流可达15A，非常适合于高电压和高功率的应用场景如开关电源、电机驱动以及不间断电源系统等。在实际应用中，由于其较高的耐压值，在设计电路时需要特别注意保证足够的绝缘和散热措施以确保器件稳定工作。例如在电机驱动电路中，可将其用于H桥或半桥拓扑结构中作为功率开关元件。同时，为了减少开关损耗并提高效率，建议搭配合适的栅极驱动电路使用，并且要注意控制信号的上升沿与下降沿时间，避免过长导致不必要的能量损失。

IXFK15N100Q 规格参数

标准包装
25
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
1000V（1kV）
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
700 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
170nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4500pF @ 25V
功率 - 最大
360W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-264-3，TO-264AA
供应商设备封装
TO-264AA
包装
管件

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