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IXFN26N90K

更新时间:2025-05-18 20:01:25

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IXFN26N90K 概述

IXFN26N90K是IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。该器件采用先进的平面栅极技术，具有低导通电阻和高击穿电压特性，适用于高压开关应用。其最大漏源电压可达900V，连续漏极电流为26A，适合用于不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电机驱动等需要高效能量转换的场合。在电路设计中，建议选用合适的栅极驱动电阻来优化开关速度，避免过快的开关导致EMI问题。此外，在布局PCB时应尽量缩短源极引线长度以减小寄生电感影响。对于热设计，推荐使用足够的散热面积或安装散热器以确保稳定运行。此款MOSFET也可并联使用以增加输出电流能力，但需注意均流设计。

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