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IXFN32N120

更新时间:2025-06-10 09:43:45
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IXFN32N120外观图

IXFN32N120

IXYS FET

MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B

  • 封装:SOT-227-4，miniBLOC
IXFN32N120 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    FET
  • 系列
    HiPerFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    32A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    350 毫欧 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    400nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    15900pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    780W
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
    SOT-227B
  • 包装
    管件
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