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IXFN50N120SK

更新时间:2025-05-16 01:30:07
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • IXFN50N120SK

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IXFN50N120SK 规格参数
  • 现有数量
    0现货查看交期
  • 系列
    -
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）
    1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    48A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    20V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    52 毫欧 @ 40A，20V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    2.8V @ 10mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    115 nC @ 20 V
  • Vgs（最大值）
    +20V，-5V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    1895 pF @ 1000 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    -
  • 工作温度
    -40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 供应商器件封装
    SOT-227B
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC
芯知识
3.2万
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苏州固锝电子股份有限公司
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