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IXFN70N120SK

更新时间:2025-06-18 13:09:33

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IXFN70N120SK 概述

IXFN70N120SK是由IXYS公司生产的高性能MOSFET。这款MOSFET专为高压应用设计，具有极低的导通电阻和快速开关特性。它能在高达1200V的电压环境下稳定工作，最大连续漏极电流可达70A，适用于大功率电源转换器、电机驱动以及不间断电源系统等需要高效能量管理的场合。其优秀的热性能和较低的开关损耗使得设备在高频率下运行时更加节能且减少发热量。在实际应用中，需注意适当的散热设计以确保器件长时间可靠工作，并且在PCB布局时应尽量减小回路电感以优化开关性能。

IXFN70N120SK 规格参数

现有数量
13现货
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
68A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
34 毫欧 @ 50A，20V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 15mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
161 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
+20V，-5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2790 pF @ 1000 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC

芯产品

7573

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