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IXFN82N60Q3

更新时间:2025-05-28 19:42:40
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IXFN82N60Q3外观图

IXFN82N60Q3

IXYS FET

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227

  • 封装:SOT-227-4，miniBLOC
IXFN82N60Q3 规格参数
  • 标准包装
    10
  • 类别
    半导体模块
  • 家庭
    FET
  • 系列
    HiPerFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    66A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    75 毫欧 @ 41A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    6.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    275nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    13500pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    960W
  • 安装类型
    底座安装
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC
  • 供应商设备封装
    SOT-227B
  • 包装
    管件
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苏州固锝电子股份有限公司
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