IXFP220N06T3是由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效能的电源管理应用。其最大漏源电压为60V，适合于需要中等电压等级的应用场景。典型应用场景包括直流-直流转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动控制以及各种功率转换电路。在这些应用中，它能够有效降低能量损耗，提高系统整体效率。使用时应注意正确选择栅极驱动电阻以优化开关性能，并确保散热设计合理，防止过热损坏。由于其较高的电流承载能力，通常用于大功率需求场合，在布局PCB时应特别注意走线宽度和接触面积，以减少寄生电感和电阻的影响。

IXFP220N06T3 规格参数

现有数量
40现货
系列
HiperFET?, TrenchT3?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
136 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
440W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3

芯知识

2.6万

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广东微尔科技有限公司

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IXFP220N06T3

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