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IXFP22N65X2

更新时间:2025-05-28 08:21:46

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IXFP22N65X2 概述

IXFP22N65X2是由IXYS公司生产的高性能功率MOSFET。该器件采用N沟道设计，具有650V的漏源电压额定值和22A的连续漏极电流能力。它采用了先进的平面技术，优化了导通电阻和开关性能，特别适合于高频开关电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和其他电力转换应用。其低栅极电荷和低反向传输电容特性有助于提高系统效率并减少开关损耗。在实际应用中，建议使用适当的散热措施以确保最佳工作温度，并遵循制造商推荐的栅极驱动电路设计以实现可靠开关操作。注意保持良好的PCB布局以最小化寄生电感对性能的影响。

IXFP22N65X2 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
HiPerFET?, Ultra X2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
160 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
38 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2310 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
390W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3

芯知识

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广东微尔科技有限公司

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