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IXFR120N20

更新时间:2025-05-17 18:50:50

供应商
产品型号
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封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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46000
一级代理
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一级代理保证

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8000
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深圳市星宇佳科技有限公司
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30
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深圳市万芯时代贸易有限公司
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回收此型号IXFR120N20

深圳市科鑫美电子有限公司
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北京睿宸齐芯科技有限公司
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TO3PF/2024+/25+
MOSFET单管,原装和国产替代

深圳市华盛锦科技有限公司
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IXFR120N20外观图

IXFR120N20

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247

封装:ISOPLUS247?

IXFR120N20 概述

IXFR120N20是由IXYS公司生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和高开关速度特性，适用于高频开关电源、电机驱动和不间断电源等应用场合。其最大漏源电压为200V，能够承受较高的电压应力，适合在工业级电力电子系统中使用。在电机控制应用中，可以提高效率并减少热损耗。设计电路时需注意其最大电流能力和散热设计以确保稳定运行。在开关电源中使用时，合理的栅极驱动电路设计对于优化开关性能至关重要。

IXFR120N20 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
105A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
17 毫欧 @ 60A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 8mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
360nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
9100pF @ 25V
功率 - 最大
400W
安装类型
通孔
封装/外壳
ISOPLUS247?
供应商设备封装
ISOPLUS247?
包装
管件

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