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IXFR24N50

更新时间:2025-07-10 18:52:38

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市创芯联盈电子有限公司
IXFR24N50
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深圳市华普冠科电子科技有限公
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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IXFR24N50外观图

IXFR24N50

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247

封装:ISOPLUS247?

IXFR24N50 概述

IXFR24N50是IXYS公司生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高压应用设计，最大漏源电压（Vds）可达500V，连续漏极电流（Id）为24A。它采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，有助于减少功耗并提高系统效率。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、开关模式电源（SMPS）、电机驱动器、照明控制以及各种工业和消费类电子设备中的功率转换电路。在实际应用中，建议确保栅极驱动电路能够提供足够的驱动电压（至少10V）以实现最低的导通电阻。此外，为了防止过热，应合理设计散热系统，并考虑使用适当的缓冲电路来抑制开关过程中的电压尖峰。对于高频应用，需特别注意PCB布局以减小寄生电感和电容的影响。

IXFR24N50 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
24A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
230 毫欧 @ 12A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
160nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
4200pF @ 25V
功率 - 最大
250W
安装类型
通孔
封装/外壳
ISOPLUS247?
供应商设备封装
ISOPLUS247?
包装
管件

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