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IXFT28N50F

更新时间:2025-05-18 02:56:59

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IXFT28N50F 概述

IXFT28N50F是IXYS公司生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-264封装，适用于高电压和大电流的应用场景。其最大漏源电压（Vds）为500V，连续漏极电流（Id）在25°C时可达28A，具有低导通电阻（Rds(on)），有助于减少开关损耗并提高系统效率。这款MOSFET广泛应用于电源转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动、焊接设备等工业领域。在电源设计中，可用于DC-DC转换器的初级开关管，提供高效能的能量转换。使用时应注意适当的散热措施以确保器件工作温度处于安全范围内，并根据具体应用选择合适的栅极驱动电路来优化开关性能。在高频应用中需特别注意PCB布局以减小寄生电感对开关性能的影响。

IXFT28N50F 规格参数

制造商
IXYS
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
500 V
闸/源击穿电压
+/- 20 V
漏极连续电流
28 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.19 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-268
封装
Tube
下降时间
8 ns
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
315 W
上升时间
13 ns
工厂包装数量
30
典型关闭延迟时间
41 ns

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