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IXFT28N50Q

更新时间:2025-05-29 07:20:19

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IXFT28N50Q

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)

封装:TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA

IXFT28N50Q 概述

IXFT28N50Q是IXYS公司生产的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、高速开关应用设计，具有低导通电阻和低栅极电荷特性。其最大漏源电压（Vds）可达500V，连续漏极电流（Id）为28A，在高温条件下也能稳定工作。此款MOSFET适用于多种电源管理场景，如不间断电源(UPS)、开关模式电源(SMPS)以及电机驱动等工业应用。在实际电路设计中，建议将其用于需要高效能量转换的场合，比如DC-DC转换器或逆变器电路。使用时应注意控制栅极驱动电压以确保可靠开启与关闭，并合理布局PCB以减少寄生电感对开关性能的影响。此外，散热设计也至关重要，推荐采用适当的散热措施以保证器件长期稳定运行。

IXFT28N50Q 规格参数

标准包装
1
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
28A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
200 毫欧 @ 14A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
94nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
3000pF @ 25V
功率 - 最大
375W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装
TO-268
包装
管件

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