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IXFV12N120P

更新时间:2025-06-13 14:27:46
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IXFV12N120P外观图

IXFV12N120P

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220

  • 封装:TO-220-3（SMT）标片
IXFV12N120P 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    Polar™ HiPerFET™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    12A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    1.35 欧姆 @ 500mA，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    6.5V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    103nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5400pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    543W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-220-3（SMT）标片
  • 供应商设备封装
    PLUS220
  • 包装
    管件
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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