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IXFX120N65X2

更新时间:2025-05-19 10:09:32

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
IXFX120N65X2
BOM配单
18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市得捷芯城科技有限公司
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优势代理渠道,原装,可全系列订货开增值税票

深圳市芯福林电子科技有限公司
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20000
IXYS/艾赛斯
20+/-
原装可含税可开票

深圳市优尚半导体科技有限公司
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5000
IXYS
MOSFET NCH 650V 120A PLUS247/26+
提供BOM一站式配单服务

深圳市思跃电子有限公司
IXFX120N65X2
20000
IXYS
-/-
-

深圳市金科创世纪电子有限公司
IXFX120N65X2
10000
IXYS
PLUS2473/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

贸泽芯城（深圳）电子科技有限
IXFX120N65X2
36000
IXYS
TO247/23+
亚太地区一级代理，二十年BOM配单专家，原装现货

上海紫卓电子科技有限公司
IXFX120N65X2
666
IXYS
-/20+
全新原装正品详情咨询客服

深圳市安富世纪电子有限公司
IXFX120N65X2
6000
IXYS
TO247/23+
原厂渠道，现货配单

昆山隆诚翔电子有限公司
IXFX120N65X2
15800
IXYS/Littelfuse
TO247/23+
全新原装现货直销

深圳闻舟科技有限公司
IXFX120N65X2
210
IXYS/Littelfuse
TO247/23+
订货、调货

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
IXFX120N65X2
90000
IXYS
TO247/2024+
原厂渠道，现货配单

深圳市万佳电子贸易有限公司
IXFX120N65X2
9400
IXYS
TO247/23+
原装现货

深圳市科翼源电子有限公司
IXFX120N65X2
2012
IXYS
TO247/26+
原装现货

无锡固电半导体股份有限公司
IXFX120N65X2
5000
ISC/无锡固电
PLUS247/26+
国产品牌isc，替代进口

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
IXFX120N65X2
2500
LITTELFUSE
NA/2024+
只做原厂原装假一罚十

深圳市芯凌美电子有限公司
IXFX120N65X2
90000
IXYS
TO247/2024+
原厂渠道，现货配单

深圳市华普冠科电子科技有限公
IXFX120N65X2
9088
LITTELFUSE
TO247/26+25+
原装微信回复快

上海凯昂电子技术有限公司
IXFX120N65X2
15800
IXYS/Littelfuse
TO247/23+
全新原装现货直销

深圳市粤东诚信电子有限公司
IXFX120N65X2
30000
IXYS
TO247/24+
原装，一站式BOM配单

北京睿宸齐芯科技有限公司
IXFX120N65X2
3346
-
PLUS247/2024+/25+
MOSFET单管,原装和国产替代

深圳市金灿利电子科技有限公司
IXFX120N65X2
128000
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TO247/23+
全新原装现货/优势渠道/提供一站式配单

深圳市河锋鑫科技有限公司
IXFX120N65X2
9000
IXYS
TO2473/2024+
原厂渠道，现货配单

深圳市佳芯恒业科技有限公司
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300
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优势国外原装现货2周，价优

深圳市英德州科技有限公司
IXFX120N65X2
15600
IXYS
PLUS247/23+
十年配单，只做原装

深圳市基发智能电子有限公司
IXFX120N65X2
33000
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专注电子元器件提供BOM工厂配套

深圳市百达威尔科技有限公司
IXFX120N65X2
1292
IXYS/Littelfuse
TO247/22+
只做原装欢迎监督

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IXFX120N65X2 概述

IXFX120N65X2是IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。该器件采用N沟道设计，具有650V的漏源电压额定值和高达120A的连续漏极电流能力，适用于高功率应用场合。其低导通电阻特性有助于减少功耗并提高系统效率。这款MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、不间断电源(UPS)和工业逆变器等需要高效能开关特性的领域。在实际应用中，建议关注栅极驱动电路的设计以确保最佳开关性能。例如，使用适当的栅极电阻来控制开关速度，并确保驱动电压处于推荐范围内（通常为+15V/-9V），这有助于防止过冲和振铃现象，同时提高系统的整体稳定性。注意散热设计也至关重要，应根据具体工作条件选择合适的散热器或冷却方案。

IXFX120N65X2 规格参数

现有数量
244现货
系列
HiPerFET?, Ultra X2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
24 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
225 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PLUS247?-3
封装/外壳
TO-247-3 变式

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苏州固锝电子股份有限公司

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