IXFY8N65X2是IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。该器件采用先进的Trench技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、DC-DC转换器及逆变器等应用场合。在电路设计中，这款MOSFET常用于需要高效能和紧凑布局的功率转换电路。其典型应用场景包括太阳能逆变器、不间断电源系统(UPS)以及电动工具等便携式设备。由于具备较低的栅极电荷，使得它能够在减少驱动损耗的同时实现更快的开关速度。使用时应注意选择合适的栅极驱动电阻以优化开关性能，并确保散热设计满足最大功耗要求。对于高可靠性应用，建议进行充分的热测试和电气应力分析。

IXFY8N65X2 规格参数

现有数量
0现货3,990Factory
系列
HiPerFET?, Ultra X2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
450 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

芯知识

3.6万

视频广告HPV40系列模块电源在光伏储能电池中可直接内部取电！

广东微尔科技有限公司

IXFY8N65X2推荐型号

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

IXFY8N65X2

建议反馈

我要上传PDF