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IXGH17N100AU1

更新时间:2025-06-17 04:20:56

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IXGH17N100AU1

IXYS IGBT - 单路

IGBT LOW VOLT 1000V 34A TO-247AD

封装:TO-247-3

IXGH17N100AU1 概述

IXGH17N100AU1是由IXYS公司生产的高性能MOSFET。该器件采用先进的高压技术，具备低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）可达1000V，连续漏极电流（Id）为17A，适用于高电压和大电流的应用场景。这种MOSFET常用于电源管理系统、电机驱动器以及工业自动化设备中。在电源转换电路里，它能够有效提升效率并减少损耗。此外，由于其优秀的热性能和可靠性，在恶劣环境下也能稳定工作。使用时应注意适当的散热设计，确保MOSFET工作温度在安全范围内。对于栅极驱动电路的设计，需保证足够的驱动电压以实现最佳的开关性能。建议在栅极串联一个小电阻来抑制振荡，并在源极与驱动回路之间连接一个退耦电容以增强稳定性。在实际应用中，可以参考数据手册中的典型应用电路进行PCB布局设计。

IXGH17N100AU1 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
IGBT - 单路
系列
HiPerFAST™
IGBT 类型
-
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1000V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
4V @ 15V，17A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
34A
功率 - 最大
150W
输入类型
标准型
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
TO-247AD
包装
散装

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