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IXGH72N60B3

更新时间:2025-05-19 11:21:38

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IXGH72N60B3

IXYS IGBT - 单路

IGBT 600V TO-247

封装:TO-247-3

IXGH72N60B3 概述

IXGH72N60B3是IXYS公司生产的一款高性能高压MOSFET。该器件专为高效功率转换应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压（Vds）为600V，连续漏极电流（Id）可达72A，在高温环境下也能保持稳定性能。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、电机驱动、太阳能逆变器以及各种工业电源系统。在实际应用中，建议使用适当的散热措施以确保最佳性能。推荐采用大面积铜箔或多层PCB布局来改善热管理。此外，栅极驱动电路需保证足够的驱动能力，以实现快速、可靠的开关操作。当用于电机控制时，应特别注意防止瞬态电压尖峰对MOSFET造成损害，可以考虑添加箝位二极管等保护元件。

IXGH72N60B3 规格参数

标准包装
30
类别
分离式半导体产品
家庭
IGBT - 单路
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.8V @ 15V，60A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
75A
功率 - 最大
540W
输入类型
标准型
安装类型
通孔
封装/外壳
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供应商设备封装
TO-247
包装
管件

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