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IXKC19N60C5

更新时间:2025-07-03 13:54:57
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IXKC19N60C5外观图

IXKC19N60C5

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220

  • 封装:ISOPLUS220?
IXKC19N60C5 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    CoolMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    19A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    125 毫欧 @ 16A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3.5V @ 1.1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    70nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    2500pF @ 100V
  • 功率 - 最大
    -
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    ISOPLUS220?
  • 供应商设备封装
    ISOPLUS220?
  • 包装
    管件
芯知识
3.2万
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苏州固锝电子股份有限公司
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