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IXTN660N04T4

更新时间:2025-06-05 09:10:13
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  • 安徽纽本科技有限公司

  • IXTN660N04T4

  • 优势

  • 1102

  • IXYS/艾赛斯

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IXTN660N04T4 规格参数
  • 现有数量
    1,501现货
  • 系列
    Trench
  • 包装
    管件
  • 产品状态
    在售
  • FET 类型
    N 通道
  • 技术
    MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）
    40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
    660A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
    10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
    0.85 毫欧 @ 100A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
    4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
    860 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）
    ±15V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
    44000 pF @ 25 V
  • FET 功能
    -
  • 功率耗散（最大值）
    1040W（Tc）
  • 工作温度
    -55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型
    底座安装
  • 供应商器件封装
    SOT-227B
  • 封装/外壳
    SOT-227-4，miniBLOC
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芯知识
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广东微尔科技有限公司
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