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IXTN660N04T4

更新时间:2025-06-05 09:10:13

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IXTN660N04T4 概述

IXTN660N04T4是IXYS公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压为40V，适合于低压高频开关电源、直流-直流转换器以及电机驱动电路等场合。在同步整流电路中，这款MOSFET能够显著降低损耗，提高系统效率。使用时应注意合理设计栅极驱动电路，确保MOSFET可靠开启与关闭，避免因过冲或振铃现象造成器件损坏。在PCB布局上，尽量减小源极和漏极走线的电感，以减少开关过程中的电压尖峰。

IXTN660N04T4 规格参数

现有数量
1,501现货
系列
Trench
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
660A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.85 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
860 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
44000 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1040W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
供应商器件封装
SOT-227B
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC

芯知识

2.1万

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