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IXTN90N25L2

更新时间:2025-05-16 09:22:05

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IXTN90N25L2

IXYS FET

MOSFET N-CH 90A 250V SOT-227

封装:SOT-227-4，miniBLOC

IXTN90N25L2 概述

IXTN90N25L2是由IXYS公司生产的一款高功率N沟道MOSFET。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。其最大漏源电压为250V，连续漏极电流高达90A，适用于高压、大电流的应用场景。典型应用包括开关电源、电机驱动、逆变器和不间断电源系统等。在实际应用中，由于其高电流特性，需确保良好的散热设计以维持器件的性能和可靠性。电路设计时建议使用适当的栅极驱动电阻来控制开关速度，并减少电磁干扰。此外，注意布局布线，尽量减小寄生电感，提高整体效率和稳定性。在并联使用多个MOSFET时，应保证每个器件的温度和电流分布均匀，避免局部过热或电流集中导致失效。

IXTN90N25L2 规格参数

标准包装
10
类别
半导体模块
家庭
FET
系列
Linear L2™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
90A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
33 毫欧 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
4.5V @ 3mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
640nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
23000pF @ 25V
功率 - 最大
735W
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B
包装
管件

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