您现在的位置：首页 > IC >

IXTP110N12T2

更新时间:2025-06-05 09:40:39

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
IXTP110N12T2
BOM配单
只做原装正品，提供一站式配套服务
上传BOM

我要上特价
IXTP110N12T2
今日特价
展示实力的机会，更是体现服务的开始！

深圳市金科创世纪电子有限公司
IXTP110N12T2
10000
IXYS
TO2203/-
原装现货，可开票，提供账期诚信服务

无锡固电半导体股份有限公司
IXTP110N12T2
5000
ISC/无锡固电
TO220/25+
国产品牌isc，替代进口

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
IXTP110N12T2
8913
IXYS
TO2203/23+
柒号芯城，离原厂的距离只有0.07公分

深圳市河锋鑫科技有限公司
IXTP110N12T2
9000
IXYS
TO2203/2024+
原厂渠道，现货配单

深圳市科鑫美电子有限公司
IXTP110N12T2
9000
IXYS
TO2203/22+
原厂渠道，现货配单

北京睿宸齐芯科技有限公司
IXTP110N12T2
101
-
TO220/2024+/25+
MOSFET单管,原装和国产替代

深圳市芯创恒微电子有限公司
IXTP110N12T2
3000
IXYS
TO2203/20+
原装现货，优势渠道

深圳市华芯源电子有限公司
IXTP110N12T2
65493
IXYS/艾赛斯
TO220/23+
原装华强现货

深圳市群川盛达电子有限公司
IXTP110N12T2
20000
IXYSLittelfuse
TO220/24+
QCW/群川微完美代用进口质量国产价格

IC现货资源推荐

优势：品质保障[放心]稳定库存[安心]优质商家[省心]

点击搜索体验

TPS54226PWPR RC2422BZ MBRM140T1G BZX84C10 SB1045FCT NCV1117ST33T3G AT24C02BN-SU18 P6SMB9.1A

IXTP110N12T2 概述

IXTP110N12T2是IXYS公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件专为高效能电源管理应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏极-源极电压（VDSS）为120V，连续漏极电流（ID）可达110A，适用于高频开关电源、不间断电源系统、直流-直流转换器以及电机驱动控制等场景。在电路设计中，需确保栅极驱动电压足够高以完全开启MOSFET，并注意散热设计，避免过热损坏。使用时建议参考最新的数据手册以获取详细的电气参数与安全工作区信息。

IXTP110N12T2 规格参数

现有数量
0现货
系列
TrenchT2?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14 毫欧 @ 55A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
120 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6570 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
517W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3

芯知识

2.1万

视频广告作为自主零售终端的“能量心脏”，HVP6-24S12始终稳供不宕机！

广东微尔科技有限公司

IXTP110N12T2推荐型号

>> 更多IXTP110N12T2相关热门型号

维库电子市场网-十六年专注打造电子元器件采购网

IXTP110N12T2

建议反馈

我要上传PDF