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IXTP7N60PM

更新时间:2025-05-29 02:23:26

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IXTP7N60PM

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 600V 4A TO-220

封装:TO-220-3

IXTP7N60PM 概述

IXTP7N60PM是一款由IXYS公司生产的功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点。其耐压值为600V，在栅源电压10V时，最大导通电阻仅为0.58欧姆，这有助于降低在导通过程中的能量损耗。由于其出色的性能，广泛应用于电源转换器如AC/DC适配器、直流斩波电路以及电机驱动等领域。在实际应用中，需注意保证栅极驱动信号的质量以确保可靠开关，避免出现误导通或关断不完全的情况。在设计驱动电路时，可采用合适的栅极电阻来控制开关速度，并且要考虑到散热设计，通常需要配合散热器使用以确保稳定工作。

IXTP7N60PM 规格参数

标准包装
50
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
Polar™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
4A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.1 欧姆 @ 3.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1180pF @ 25V
功率 - 最大
41W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220
包装
管件

芯知识

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