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IXTR68P20T

更新时间:2025-05-24 07:18:21

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IXTR68P20T 概述

IXTR68P20T是IXYS公司生产的一款功率MOSFET，专为高效电源转换设计。该器件采用TO-247封装，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点。其最大漏源电压为200V，适合在高压应用中使用。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、开关模式电源（SMPS）以及电机驱动器等需要高效能量管理的场合。在实际应用中，建议在电路设计时确保栅极驱动电路能够提供足够的电压以完全开启MOSFET。此外，为了防止过热损坏，应考虑适当的散热措施或安装散热片。对于高频应用，需注意布局以减少寄生电感和电容的影响，从而提高整体系统效率。

IXTR68P20T 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
64 毫欧 @ 34A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
380 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
33400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
270W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
ISOPLUS247?
封装/外壳
TO-247-3

芯知识

3.3万

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苏州固锝电子股份有限公司

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