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IXTT140N075L2HV

更新时间:2025-07-06 15:17:31

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IXTT140N075L2HV 概述

IXTT140N075L2HV是Littelfuse公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-263封装，具有低导通电阻和高电流处理能力。其最大漏源电压为75V，连续漏极电流可达140A，适用于需要高效开关的高压应用场合。这款MOSFET广泛应用于工业电源、电机驱动、不间断电源(UPS)以及汽车电子系统等需要高效能功率管理的领域。在电路设计中，建议关注栅极驱动电路的设计以确保最佳的开关性能，避免出现过冲或振荡现象。由于其较高的电流能力，在PCB布局时应特别注意散热设计和电流路径规划，确保良好的热管理和电气性能。使用时需遵循制造商推荐的最大工作条件以保证长期可靠性。

IXTT140N075L2HV 规格参数

现有数量
0现货60Factory查看交期
系列
Linear L2?
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11 毫欧 @ 70A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
275 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
540W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268HV（IXTT）
封装/外壳
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA

芯知识

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