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IXTY1R4N120P

更新时间:2025-05-27 13:04:21
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IXTY1R4N120P外观图

IXTY1R4N120P

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-252

  • 封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
IXTY1R4N120P 规格参数
  • 标准包装
    75
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    1200V（1.2kV）
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    1.4A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    -
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    -
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 功率 - 最大
    -
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装
    TO-252，（D-Pak）
  • 包装
    管件
芯知识
3.3万
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苏州固锝电子股份有限公司
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