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IXTY1R6N50P

更新时间:2025-07-04 00:45:21

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
IXTY1R6N50P
BOM配单
诚信经营，提供BOM一站式配单服务
上传BOM

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奥利腾只做原装正品，实单价优可谈

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深圳市华盛锦科技有限公司
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原装现货，支持BOM配单

深圳市金嘉锐电子有限公司
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原装优势有货

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市怡兴业电子科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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可查官网https//www.icscjh.com/

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无锡固电半导体股份有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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IXTY1R6N50P外观图

IXTY1R6N50P

IXYS FET - 单

MOSFET N-CH 500V 1.6A DPAK

封装:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

IXTY1R6N50P 概述

IXTY1R6N50P是由IXYS公司生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频开关电源、直流-直流转换器及电机驱动等应用场合。其最大漏源电压为500V，能够承受较高的电压应力，在工业级和消费级电子设备中表现出色。由于其低栅极电荷，有助于降低开关损耗，提升整体效率。在实际应用中，需注意栅极驱动电路的设计以确保可靠开启和关闭MOSFET，并且散热设计也至关重要，以避免过热导致的性能下降或损坏。此款MOSFET常用于高性能电源转换系统中，是高可靠性设计的理想选择。

IXTY1R6N50P 规格参数

标准包装
75
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
PolarHV™
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
标准型
漏极至源极电压(Vdss)
500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 欧姆 @ 500mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
5.5V @ 25µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
43W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装
TO-252，（D-Pak）
包装
管件

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