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IXTY2N65X2

更新时间:2025-05-28 22:26:35

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IXTY2N65X2 概述

IXTY2N65X2是IXYS公司生产的一款高性能高压MOSFET。它采用先进的沟槽技术，具有极低的导通电阻和栅极电荷，能够有效降低开关损耗。该型号的最大漏源电压(VDS)为650V，连续漏极电流(ID)为2A，在高温条件下仍能保持稳定性能。其典型应用包括开关电源、照明系统中的LED驱动器、消费类电子产品的电源转换器以及工业设备中的高压开关电路。由于其紧凑的封装形式和卓越的电气特性，特别适合对效率和尺寸有较高要求的应用场合。在实际使用时需注意合理的散热设计以确保器件长期可靠工作。

IXTY2N65X2 规格参数

现有数量
11现货
系列
Ultra X2
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.3 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
4.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
180 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
55W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

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