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IXYN75N65C3D1

更新时间:2025-05-24 17:41:54

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IXYN75N65C3D1 概述

IXYN75N65C3D1是IXYS公司生产的一款高性能功率MOSFET。该器件采用N沟道设计，具有650V的击穿电压和高达75A的连续漏极电流能力，适用于高功率密度应用。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。这款MOSFET广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)以及工业控制等领域。在实际应用中，建议注意栅极驱动电路的设计，确保栅极电压稳定在规定范围内以实现最佳性能。由于其较高的开关速度，在PCB布局时应注意减小寄生电感，避免产生过冲电压损坏器件。推荐使用低阻抗连接并合理规划散热设计以保证长期可靠运行。

IXYN75N65C3D1 规格参数

现有数量
0现货查看交期
系列
XPT?, GenX3?
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
150 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
360 A
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，60A
功率 - 最大值
600 W
开关能量
2mJ（开），950μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
122 nC
25°C 时 Td（开/关）值
26ns/93ns
测试条件
400V，60A，3 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
65 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商器件封装
SOT-227B

芯知识

2.1万

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广东微尔科技有限公司

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